Описание / Карточка / Поля MARC | Действия | |
---|---|---|
Автор | Лундин, Всеволод Владимирович |
загрузить
в подборку |
Заглавие | Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 | |
Выходные данные | Санкт-Петербург 1998 | |
Физическое описание | 19 с. | |
Тема | Физика полупроводников и диэлектриков | |
Хранение | 9 98-9/735-5; | |
Хранение | 9 98-9/736-3; | |
Электронный адрес |
Электронный ресурс |